- +8618437960706
- دوشنبه تا شنبه: 10:00 - 16:00 / یکشنبه تعطیل است
ست پذیرایی کلوین، مدلی مدرن و زیبا بوده که با طراحی تلفقی از سبک کلاسیک و مدرن می تواند در کنار مبل راحتی و یا دیگر مبلمان ها، دکوراسیون خانه شما را کامل کند. اسکلت و صفحه ست پذیرایی کلوین از ام ...
به خواندن ادامه دهید
6500V/25A SiC SBD 。. 3 4、5 SiC MOSFET SBD ：VGS 20V, 4V 1 36.83A, 2 37.4A, ...
به خواندن ادامه دهید
900v,sic-mosfetsi-mosfet351、sj-mosfet101,。,qg、。 sj-mosfet900v,sic1700v ...
به خواندن ادامه دهید
مدار تقویت‌کننده سورس مشترک در شکل زیر نشان داده شده است: مدار تقویت‌کننده از یک JFET کانال N تشکیل شده که می‌توان به جای آن، یک ماسفت مُد تخلیه (Depletion-Mode) با تغییر در FET به کار برد. ولتاژ گیت FET یا ...
به خواندن ادامه دهید
ماسفت MOSFET metal–oxide–semiconductor field-effect transistor ... در آن هنگام، ساخت و به کارگیری این ترانزیستورها، به سبب نبود علم و ابزار و امکان، با دشواری همراه بود و از همین روی، برای پنج دهه فراموش شدند و از ...
به خواندن ادامه دهید
As an alternative to traditional silicon MOSFETs, silicon carbide MOSFETs offer the advantages of higher blocking voltage, lower on-state resistance, and higher thermal conductivity...
به خواندن ادامه دهید
SiC MOSFETs are coming into prominence in select power switching applications above ½ kV, especially in those that benefit from the high-speed capability of SiC MOSFETs. This …
به خواندن ادامه دهید
The extended CoolSiC portfolio offers 2 kV silicon carbide (SiC) MOSFETs, along with a 2kV SiC diode for applications up to 1500 V DC. The new SiC MOSFET …
به خواندن ادامه دهید
to the physical properties of SiC, the electric field intensity in SiC chips unavoidably tends to increase; in particular, the intensity of the electric field to be applied to the gate oxide at …
به خواندن ادامه دهید
The extended CoolSiC portfolio offers 2 kV silicon carbide (SiC) MOSFETs, along with a 2kV SiC diode for applications up to 1500 V DC. The new SiC MOSFET combines both low-switching losses and high-blocking voltage in one device that can optimally meet the requirements of 1500 V DC systems.
به خواندن ادامه دهید
Therefore, we propose a 3.3 kV dummy-gate 4H-SiC MOS-FET (DG-MOSFET) to alleviate this problem. The static charac-teristics of the DG-MOSFET were analyzed through a …
به خواندن ادامه دهید
CoolSiC Trench MOSFET Combining SiC Performance With Silicon Ruggedness This article summarizes selected features of the new ColSiC™ MOSFET. The device …
به خواندن ادامه دهید
1 Introduction. Silicon carbide (SiC) metal–oxide–semiconductor field effect transistors (MOSFETs) have undergone a great development over the past few years, and their level of maturity is now sufficient for product development of converters for various applications [] ranging from motor drives for different kinds of vehicles [] to various …
به خواندن ادامه دهید
IGBT,SiC-MOSFET,,。. SJ-MOSFET（MOSFET）,,,。. 600V～2000V …
به خواندن ادامه دهید
1 Introduction. Silicon carbide (SiC) power metal-oxide semiconductor field-effect transistors (MOSFETs) are the centre of attention for medium-voltage wide bandgap (WBG) device development to displace silicon insulated gate bipolar transistors (IGBTs) in recent years because they can enable power converter designs of high frequency, high …
به خواندن ادامه دهید
4SiC MOSFET Application Note 3, 4 SiC MOSFET 。。Figure 3（a）,（b）。 (a) DC-DC …
به خواندن ادامه دهید
A split-gate SiC trench MOSFET with a P-poly/SiC hetero-junction diode has been proposed for optimized reverse recovery characteristics and low switching loss [17]. Furthermore, SiC MOSFET with integrated n-/n-type poly-Si/SiC heterojunction freewheeling diode has been proposed, offering a lower V f, but at the cost of BV [18]. In this paper, a ...
به خواندن ادامه دهید
درک الگوریتم اثبات کار (Proof of Work) یک الگوریتم اثبات کار (PoW) مشخص می کند که چطور بلاک ها در بلاک چین ساخته یا استخراج می شوند. هدف PoW کشف عددی برای حل یک مسله است. این عدد توسط هر شخصی در شبکه می ...
به خواندن ادامه دهید
For our 3rd-generation SiC MOSFETs, the performance index R DS (ON) × Q gd, which shows the relation between conduction loss and switching loss, is reduced by 80 % [note] compared with our existing 2nd-generation …
به خواندن ادامه دهید
SIC MOSFET ：. SIC MOSFET：,,。. SIC MOSFET：。. SIC MOSFET：、、。. SIC MOSFET： ...
به خواندن ادامه دهید
How to Drive SiC MOSFETS. With the superior material properties in mind the question poses how these parts have to be controlled on to work at their very best. Starting from things we know, Si MOSFETs need a positive gate voltage, which is recommended around 12V or even less and the negative gate voltage should be ground …
به خواندن ادامه دهید
1 Introduction. The superiority of a silicon carbide (SiC) metal–oxide–semiconductor field-effect transistor (MOSFET) in static and switching performance to Si devices has been demonstrated [1, 2].To promote and expand its applications, many efforts have been devoted [3, 4].In the future, the SiC MOSFET may …
به خواندن ادامه دهید
Wolfspeed Silicon Carbide MOSFET gate drivers enable high-efficiency power delivery across applications, such as EV Fast Charging, Renewable Energy, and …
به خواندن ادامه دهید
Simultaneously imposed challenges of high-voltage insulation, high dv/dt, high-switching frequency, fast protection, and thermal management associated with the adoption of 10 kV SiC MOSFET, often pose nearly insurmountable barriers to potential users, undoubtedly hindering their penetration in medium-voltage (MV) power …
به خواندن ادامه دهید
SIC power MOSFETs are expected to have advantages over existing Si technology similar to that of the above mentioned Sic diodes. With a high critical electric field (- 2 MV/cm), reasonable bulk electron mobility (- 800 cm2N.s), and high saturation velocity (- 2.10' cds) [7,8], 4H-Sic is attractive for implementation of high voltage, high-speed ...
به خواندن ادامه دهید
ماسفت. ماسفت شامل پایانه‌های گیت (G)، درین (D)، سورس (S) و بدنه (B). بدنه (B) اغلب به سورس وصل می‌شود؛ بنابراین ماسفت در عمل، سه‌پایه دارد. لایهٔ اکسیدِ سیلیسیوم به رنگ روشن در زیر گیت دیده می‌شود ...
به خواندن ادامه دهید
2019,SiC MOSFET2.6,202510,25.2%,。. SiC MOSFET、、、、GeneSiC、,SiC MOSFET ...
به خواندن ادامه دهید
mosfet,,sic mosfet。 （115 nH）, …
به خواندن ادامه دهید
Simultaneously imposed challenges of high-voltage insulation, high dv/dt, high-switching frequency, fast protection, and thermal management associated with the …
به خواندن ادامه دهید