- +8618437960706
- دوشنبه تا شنبه: 10:00 - 16:00 / یکشنبه تعطیل است
شبیه سازی ترانزیستور ماسفت(MOSFET) در کامسول امروزه با توجه به پیشرفت سریع فناوری در زمینه ادوات نیمه رسانا و ظهور ترانزیستورها در ابعاد نانو نیاز به تحلیل و مدل سازی این ادوات مشاهده می شود. با استفاده از مدل سازی تحلیلی ...
به خواندن ادامه دهید
بدون ترانزیستورها، تکنولوژی که هر روز استفاده می‌کنید ... در دهه 1970 منجر به تولید ترانزیستورهای اثر میدان نیمه هادی اکسید فلزی (mosfet) شد. ... که در این ناحیه کار می کند برای تقویت استفاده می شود. ff.
به خواندن ادامه دهید
آنها از میدان الکتریکی برای کنترل هدایت الکتریکی یک کانال استفاده می کنند. fet به jfet (ترانزیستور جلوه ای اثر میدان) و mosfet (ترانزیستور تأثیر میدان نیمه هادی فلز اکسید فلزی) طبقه بندی می شود.
به خواندن ادامه دهید
سال اکتشاف: 1947. این کشف چه می‌گوید؟. مواد نیمه هادی را می‌توان بطور موقت به فوق هادی‌ها مبدل کرد. چه کسی آن را کشف کرد؟. جان باردین نخستین جایزهٔ نوبل خود را برای کشف خاصیت انتقالی ...
به خواندن ادامه دهید
ماسفت. ماسفت شامل پایانه‌های گیت (G)، درین (D)، سورس (S) و بدنه (B). بدنه (B) اغلب به سورس وصل می‌شود؛ بنابراین ماسفت در عمل، سه‌پایه دارد. لایهٔ اکسیدِ سیلیسیوم به رنگ روشن در زیر گیت دیده می‌شود ...
به خواندن ادامه دهید
چهار نماد MOSFET در بالا یک ترمینال اضافی به نام Substrate را نشان می دهد و به طور معمول به عنوان یک ورودی یا یک اتصال خروجی استفاده نمی شود، بلکه به جای آن برای زمین بندی بستر استفاده می شود. آن را به کانال نیمه رسانای اصلی از ...
به خواندن ادامه دهید
امروزه نیمه هادی ها به یک سطح بالایی از پیچیدگی ها و تکامل در رابطه با کاربرد آنها در منابع تغذیه سوئیچینگ رسیده اند. با وجود این همه تکامل در نیمه هادی ها، آن ها آسیب پذیرترین قطعات در یک منبع ...
به خواندن ادامه دهید
سرفصل‌های دوره آموزش رایگان الکترونیک دیجیتال. فصل اول: مقدمات و مفاهیم اولیه. 01:04 ساعت (01:04 ساعت محتوا) 1 جلسه. جلسه 1: مقدمات و مفاهیم اولیه. "64:02. فصل دوم: مواد نیمه هادی و دیودها. 03:05 ساعت (03:05 ...
به خواندن ادامه دهید
خلاصه بررسی ترانزیستور تک پیوندی. ترانزیستور تک پیوندی یا به‌اختصار UJT، یک نیمه‌هادی سه سر است که در پالس دریچه‌ای، مدارهای زمان‌بندی و برنامه‌های راه‌انداز ژنراتور برای تغییر و کنترل ...
به خواندن ادامه دهید
GeneSiC Semiconductor SiC MOSFETs. GeneSiC Semiconductor's next-generation G3R™ and G2R™ SiC (Silicon Carbide) MOSFETs offer R DS (ON) levels ranging from …
به خواندن ادامه دهید
در آموزش‌های پیشین مجله فرادرس، با مواد رسانا و نارسانا آشنا شدیم. نیمه هادی ها موادی هستند که رسانایی آنها چیزی بین رسانایی هادی‌ها (اغلب فلزات) و غیرهادی‌ها یا عایق‌ها (مانند سرامیک‌ها) است.
به خواندن ادامه دهید
ترانزیستور اثر میدانی نیمه‌رسانای اکسید فلز یا ماسفت (MOSFET)، مقاومت گیت ورودی بسیار بزرگی دارد و جریان گذرنده از کانال بین سورس و درین با ولتاژ گیت کنترل می‌شود. به دلیل امپدانس ورودی و بهره ...
به خواندن ادامه دهید
موارد بیشتر برای شما ترانزیستور اثر میدان نانولوله کربنی تصویر: نموداری که نشان می دهد یک نانولوله کربنی اساساً گرافنِ پیچیده شده است. ترانزیستور اثر میدان نانولوله کربنی (carbon nanotube field-effect transistor (CNTFET)) یک ترانزیستور اثر ...
به خواندن ادامه دهید
یک نیمه هادی اکسید فلزی مکمل، نوعی فناوری است که برای توسعه مدارهای مجتمع استفاده می شود. چنین فناوری در ساخت تراشه های مدار مجتمع (IC) مانند ریزپردازنده ها، میکروکنترلرها، تراشه های حافظه و ...
به خواندن ادامه دهید
در ترانزیستورهای اثر میدانی، جا به جایی حامل های الکتریکی (الکترون و حفره) در نیمه هادی ها با استفاده از یک میدان الکتریکی اتفاق می افتد. علت نام گذاری این قطعات هم به همین دلیل است.
به خواندن ادامه دهید
1# نیمه هادی چیست؟ (semiconductor) نیمه هادی در واقع یک ماده است که بیشتر از یک عایق (مانند شیشه) اما کم تر از یک هادی خالص (مانند مس یا آلومینیوم) برق را انتقال می دهد و. معمولا از سیلیکون تشکیل شده است ...
به خواندن ادامه دهید
왜 GeneSiC인가? 업계에서 가장 포괄적 인 650V 포트폴리오로 우수한 SiC 전력 장치 기술을 제공합니다., 1200V, 1700V 및 3300V MOSFET 및 Schottky MPS 다이오드 . 동급 최고의 성능과 견고 함; 최고의 품질과 신뢰성; 낮은 리드 타임으로 대량 …
به خواندن ادامه دهید
بر پایه‌ی این قانون، تعداد ترانزیستورهای نیمه‌هادی در یک مدار در هر دو سال، دو برابر می شود. فناوری نسل کنونی از فناوری مقیاس ۱۴ نانومتری، با نیمه‌هادی‌های ۱۰ نانومتری استفاده میکند.
به خواندن ادامه دهید
نمودار I-V خصوصیات و طرح‌های خروجی از JFETنوع n. ترانزیستور پیوندی اثر میدان یا جِی‌فِت (به انگلیسی: junction gate field-effect transistor یا JUGFET یا JFET) به گونه‌ای از ترانزیستورهای اثر میدان گفته می‌شود که از یک ...
به خواندن ادامه دهید
ترانزیستور پیوندی اثر میدان یا جِی‌فِت به گونه‌ای از ترانزیستورهای اثر میدان گفته می‌شود که از یک کانال عبور و یک گیت تشکیل شده‌اند. دو پایهٔ درین و سورس با اتصال اهمی به دو طرف کانال متصل هستند و پایهٔ گیت اتصال ...
به خواندن ادامه دهید
فناوری سیلیکون روی عایق (soi) به استفاده از یک لایه سیلیکون-عایق بر روی سیلیکون به جای استفاده از لایه سیلیکون معمولی در تولید نیمه هادی‌ها، علی‌الخصوص در میکرو الکترونیک برای کاهش ظرفیت پارازیت دستگاه منسوب میکند ...
به خواندن ادامه دهید
In this article, a recessed source trench silicon carbide (SiC) MOSFET with integrated MOS-channel diode (MCD) is proposed and investigated by TCAD …
به خواندن ادامه دهید
یک TFT اکسیدی از یک ترانزیستور اثر میدان اکسید فلزی (MOSFET) متمایز است که در آن کلمه "اکسید" به دی الکتریک دروازه عایق (معمولا دی اکسید سیلیکون) اشاره دارد. در TFT اکسید، کلمه اکسید به نیمه هادی اشاره ...
به خواندن ادامه دهید
ترانزیستور چیست؟ ترانزیستورها قطعات اکتیو سه‌سری هستند که از مواد نیمه‌هادی مختلف ساخته شده‌اند و می‌توانند در کاربردهای ولتاژ سیگنال کوچک به عنوان یک عایق یا یک رسانا عمل کنند. توانایی ترانزیستور در تغییر بین این ...
به خواندن ادامه دهید
ترانزیستور ماسفت 30 ولت 11.4 آمپر SI4435DDY-T1-GE3 30. سازنده: Vishay Siliconix. 45,500 تومان. 1. 2. 3. 7. کارشناسان ما در کمترین زمان ممکن با شما تماس خواهند گرفت و آماده پاسخگویی به سوالات شما می‌باشند. در این بخش از ...
به خواندن ادامه دهید
Download Product Selector Guide GeneSiC's G3R™ SiC MOSFETs feature industry leading performance in high-voltage switching to harness never before seen levels of …
به خواندن ادامه دهید
در این آموزش با ترانزیستورهای اثر میدان پیوندی یا ترانزیستور jfet آشنا می‌شویم. در آموزش مربوط به ترانزیستور پیوندی دوقطبی دیدیم که جریان خروجی کلکتور، متناسب با جریان ورودی گذرنده از بیس است که سبب می‌شود ترانزیستور ...
به خواندن ادامه دهید
ترانزیستورهای بیپولار و ترانزیستورهای فلز-نیمه‌هادی شامل سه لایه نیمه‌رسانای نوع n و p هستند، در حالی که ترانزیستورهای فلز-اکسید-نیمه‌هادی (mosfet) دارای لایه اکسیدی هستند که بین دروازه و ...
به خواندن ادامه دهید
در ادامه مجموعه مقالات جامع مجله فرادرس، مقالات آشنایی با قطعات الکترونیک قدرت را ارائه می‌کنیم. دیود پیوند PN ، یکی از ساده‌ترین انواع نیمه‌هادی‌ها به شمار می‌رود که به معرفی آن پرداخته ...
به خواندن ادامه دهید
یک ترانزیستور اثر میدانی فلز اکسید نیمه هادی است که برای تقویت یا سوئیچینگ سیگنال‌های الکترونیکی استفاده می‌شود. اگرچه ماسفت یک دستگاه چهار ترمینال با پایانه‌های منبع، گیت، تخلیه و بدنه است، اما بدنه ماسفت اغلب به ترمینال منبع …
به خواندن ادامه دهید
ترانزیستورهای اثر میدان، خود به دو دستهٔ ترانزیستور پیوند اثر میدانی (JFET) و ترانزیستور اثر میدان نیمه‌هادیِ اکسید-فلز (Metal-Oxide Semiconductor Field Effect Transistor, MOSFET) که به اختصار به آن ماسفت گفته می‌شود ...
به خواندن ادامه دهید
ترانزیستور چیست و چگونه کار میکند ؟. در ساده‌ترین تعریف، ترانزیستور المانی نیمه هادی است که از آن برای کنترل یا تقویت جریان الکتریکی استفاده می‌شود. ترانزیستورها به دو گروه زیر طبقه‌بندی ...
به خواندن ادامه دهید
بازدید: ۲۰۸۶. ماسفت‌ها سوییچ های ایده‌آلی هستند که برای کنترل جریان بار یا در مدارات CMOS به کار می‌روند برای اینکه یک ترانزیستور به مثابه یک کلید عمل کند باید یا در ناحیه اشباع (روشن) و یا در ...
به خواندن ادامه دهید
GeneSiC's next-generation 650V to 3300V SiC MOSFETs feature superior performance, quality and ruggedness to enable more efficient and smaller systems. Toggle navigation. …
به خواندن ادامه دهید
دراین پایان نامه یک ترانزیستور فلز – نیمه هادی (مسفت ) بر روی عایق با ساختاری نوین پیشنهاد شدهاست. تلاش ها در راستای کاهش تجمع میدان الکتریکی در لبه ی گیت در طرف درین بوده است.
به خواندن ادامه دهید