- +8618437960706
- دوشنبه تا شنبه: 10:00 - 16:00 / یکشنبه تعطیل است
ترانزیستور اثر میدانی نیمه‌رسانای اکسید فلز یا ماسفت (MOSFET)، مقاومت گیت ورودی بسیار بزرگی دارد و جریان گذرنده از کانال بین سورس و درین با ولتاژ گیت کنترل می‌شود. به دلیل امپدانس ورودی و بهره ...
به خواندن ادامه دهید
یک محفظه ی CVI SiC/SiC، 2400 ثانیه احترااق را در طی 400 سیکل گرمایی تحمل می کند. 3) استاتور و پره های دیسک در موتورهای LOX/LH_2، دماهای خروجی به بیش از 1600 کلوین می رسد که سرعت پری فریکال (peripherical speed) در این بخش ...
به خواندن ادامه دهید
In [7] the test production of 300A/1200V SiC-MOSFET chips was reported, having the size of 10x10mm² and a specific Ron=5,9mΩcm² @ Vg=15V; Ids=300A, see Figure 17. Even though this is a 2 years old result, it is still (as of Sept.2017) the world's largest size 1200V SiC-MOSFET chip. Figure 17: 300A/1200V SiC-MOSFET chip
به خواندن ادامه دهید
به گفته محققان این ژنراتور پوشیدنی جدید با هزینه پایین از نسیمی که حین یک راه رفتن ساده ایجاد می‌شود، برق مورد نیاز برای روشن کردن لامپ‌های LED کوچک و سنسورها را تأمین می‌کند.. این وسیله با اینکه از باد برق تولید می‌کند ...
به خواندن ادامه دهید
Based on volume experience and compatibility know-how, Infineon introduces the revolutionary CoolSiC™ MOSFET technology which enables radically new product designs. In comparison to traditional Silicon-based switches like IGBTs and MOSFETs, the Silicon Carbide (SiC) Power MOSFET offers a series of advantages. CoolSiC™ MOSFET …
به خواندن ادامه دهید
The SiC-MOSFET allows high frequency switching and contributes to downsizing the reactor, heat sink and other peripheral components * 1 : Conventional silicon ... Nov 05, 2020 Mitsubishi Electric to Launch 4-terminal N-series 1200V SiC-MOSFETs; Jul 09, 2020 Mitsubishi Electric Develops Accurate Circuit Simulation Technology for SiC-MOSFETs;
به خواندن ادامه دهید
سیلیسیم کاربید. 3.16 g·cm -3 (hex.) ؟) سیلیسیم کربید ، سیلیکون کربید (به انگلیسی: Silicon carbide) یا کاربوراندم (به انگلیسی: carborundum) با فرمول شیمیایی SiC، یکی از مواد دیرگداز و نیمه رسانا است که به‌صورت خام در ...
به خواندن ادامه دهید
Mitsubishi Electric's development of the new SiC device was first revealed at the 2017 International Conference on Silicon Carbide and Related Materials (ICSCRM 2017), held in Washington, D.C., …
به خواندن ادامه دهید
Owing to the superior properties of silicon carbide (SiC), such as higher breakdown voltage, higher thermal conductivity, higher operating frequency, higher operating temperature, and higher saturation drift velocity, SiC has attracted much attention from researchers and the industry for decades. With the advances in material science …
به خواندن ادامه دهید
ماسفت. ماسفت شامل پایانه‌های گیت (G)، درین (D)، سورس (S) و بدنه (B). بدنه (B) اغلب به سورس وصل می‌شود؛ بنابراین ماسفت در عمل، سه‌پایه دارد. لایهٔ اکسیدِ سیلیسیوم به رنگ روشن در زیر گیت دیده می‌شود ...
به خواندن ادامه دهید
TOKYO, November 5, 2020 - Mitsubishi Electric Corporation (TOKYO: 6503) announced today the coming launch of a new series of silicon-carbide metal-oxide …
به خواندن ادامه دهید
Mitsubishi Electric has developed the first 6.5-kV Full SiC power module (all semiconductor devices are SiC devices) with the new highly insulated standardized package with 100 mm x 140 mm footprint, called HV100. We optimized the internal structure of the HV100 using an electromagnetic simulation and a circuit simulation, and verified stable …
به خواندن ادامه دهید
Abstract: Mitsubishi Electric has developed the first 6.5-kV Full SiC power module (all semiconductor devices are SiC devices) with the new highly insulated …
به خواندن ادامه دهید
FOR IMMEDIATE RELEASE No. 3361. TOKYO, June 16, 2020 - Mitsubishi Electric Corporation (TOKYO: 6503) announced today the launch of its N-series 1200V SiC-MOSFET (silicon-carbide metal-oxide-semiconductor field-effect transistor) featuring low power loss and high tolerance 1 to self-turn-on. The new series will help to reduce the …
به خواندن ادامه دهید
We have been developing second-generation planar metal-oxide-semiconductor field effect transistors (MOSFETs) using our newly constructed 6-inch SiC wafer line. For these …
به خواندن ادامه دهید
Picture: Mitsubishi Electric's new 3.3kV SBD-embedded SiC MOSFET module. The SBD-embedded SiC-MOSFET and optimized package structure are said to reduce switching loss by 91% compared with the firm's existing silicon power module and by 66% compared with the existing SiC power module, reducing inverter power loss and …
به خواندن ادامه دهید
developed SBD-embedded SiC MOSFETs when V g = −6 V. The temperature dependence of the conduction loss is shown in Fig.11. The conduction loss of the developed SiC MOSFET is less than half that of the IGBT at room temperature. Incidentally, the temperature dependence of the SiC MOSFET is larger than that of the Si IGBT. Although …
به خواندن ادامه دهید
TOKYO, November 5, 2020 - Mitsubishi Electric Corporation (TOKYO: 6503) announced today the coming launch of a new series of silicon-carbide metal-oxide-semiconductor field-effect transistors (MOSFETs), the N-series of 1200V SiC-MOSFETs in a TO-247-4 package, 1 which achieves 30% less switching loss compared to the existing …
به خواندن ادامه دهید
Back in September 2017, we published an overview in Bodo's Power about the history and status of our SiC-power modules covering a wide range of commercially available SiC-modules from several ten amps up to 1200 A and rated voltages from 600V to 3300V [1]. Today, one year later, the SiC technology has gained further speed.
به خواندن ادامه دهید
Mitsubishi Electric Develops SBD-embedded SiC-MOSFET with New Structure for Power Modules FOR IMMEDIATE RELEASE No. 3608 Fig. 1 Newly …
به خواندن ادامه دهید
فرآیند تولید نحوه ساخت یا ایجاد یک محصول توسط یک شرکت است. این می تواند یک فعالیت پیچیده باشد که شامل طیف وسیعی از ماشین آلات، ابزارها و تجهیزات با سطوح مختلف اتوماسیون با استفاده از رایانه ها ...
به خواندن ادامه دهید
TOKYO, June 1, 2023 - Mitsubishi Electric Corporation (TOKYO: 6503) announced today that it has developed a new structure for a silicon carbide metal-oxide-semiconductor field-effect transistor (SiC …
به خواندن ادامه دهید
میکروگرید پوشیدنی از بدن انسان برای تامین انرژی مورد نیاز برای گجت‌های کوچک استفاده می‌کند. 103 بارگذاری ویدیو
به خواندن ادامه دهید
ریخته‌گری گریز از مرکز (به انگلیسی: Centrifugal Casting) یکی از روش‌های معمول در تولید لوله‌های فلزی است. در این روش از یک قالب چرخنده برای شکل‌دهی استفاده می‌شود. اغلب پروفیل لوله‌ها و به‌طور کلی ...
به خواندن ادامه دهید
28,000 تومان. این ترانزیستوراز نوع N-Channel MOSFET با ولتاژ قابل تحمل 600 ولت و جریان 3 آمپر در دسترس می باشد.این ترانزیستور یکی از قطعات الکترونیکی است که از مواد نیمه رسانایی مانند سیلیسیم و ژرمانیم ...
به خواندن ادامه دهید
Mitsubishi Electric to Ship Samples of SBD-embedded SiC-MOSFET Module. TOKYO, May 8, 2023 - Mitsubishi Electric Corporation (TOKYO: 6503) …
به خواندن ادامه دهید
رایانه یا کامپیوتِر (به انگلیسی: Computer) دستگاهی الکترونیک است که می‌تواند برنامه‌ریزی شود تا دستورها و محاسبات ریاضیاتی و منطقی را به‌صورت خودکار از طریق برنامه‌نویسی انجام دهد. رایانه‌های نوین می‌توانند از مجموعهٔ ...
به خواندن ادامه دهید
ژاپنی‌ها ربات پوشیدنی پنوماتیکی تولید کردند که زور دستان انسان را چند برابر می‌کند. شما با یک لباس رباتیک چه کارهایی می‌توانید انجام دهید؟. مطمئنا این کارها به برداشتن کیسه‌های برنج ختم ...
به خواندن ادامه دهید
پشتیبانی از بازو و شانه. این تکنولوژی پوشیدنی از کارگرانی که ابزار و مواد سنگین را از بالای کمر برمی‌دارند، پشتیبانی می‌کند. ربات‌های پوشاننده بازو برای کارهایی مانند حفاری، برش و سنگ زنی ...
به خواندن ادامه دهید
FOR IMMEDIATE RELEASE No. 3307. TOKYO, September 30, 2019 - Mitsubishi Electric Corporation (TOKYO: 6503) announced today that it has developed a trench-type *1 silicon-carbide (SiC) metal-oxide-semiconductor field-effect transistor (MOSFET) with a unique electric-field-limiting structure for a power semiconductor …
به خواندن ادامه دهید
sic-mosfet; sic-sbd; sic ; sopipm（ipm） dipipm; ipm（） igbt; hvigbt; mosfet; ; pfc; ; . gan; gaas; ; ic、. hvic; ; . …
به خواندن ادامه دهید
Fig. 1 Schematic diagrams of trench-gate MOSFET. *Advanced R&D Center **Power Device Works. size of BPW contact cell. To solve this problem, we developed the MIT2 …
به خواندن ادامه دهید
Realized high performance and low power loss by 2nd. generation SiC-MOSFET and SiC-SBD with current sense and temperature sense; External size is reduced approx.30% with the conventional Silicon IPM products * of the same rating. Available to drive it by the equivalent I/F and power supply circuit with the Silicon IPM products. *
به خواندن ادامه دهید
In case the free-wheeling diode is made of SiC, like in the Hybrid SiC module, this current peak almost disappears (cf. Fig. 2 (b)). This results in a reduction of turn-on energy E on by 38%. Using a Full SiC MOSFET and utilizing steeper voltage transients further reduces the turn-on energy by additional 32%. Moreover, the reverse recovery ...
به خواندن ادامه دهید