- +8618437960706
- دوشنبه تا شنبه: 10:00 - 16:00 / یکشنبه تعطیل است
Simultaneously imposed challenges of high-voltage insulation, high dv/dt, high-switching frequency, fast protection, and thermal management associated with the adoption of 10 kV SiC MOSFET, often pose nearly insurmountable barriers to potential users, undoubtedly hindering their penetration in medium-voltage (MV) power …
به خواندن ادامه دهید
U.S.A. 2 Cree, Inc. 4600 Silicon Drive, Durham, NC 27703, U.S.A. ABSTRACT Due to the wide bandgap and other key materials properties of 4H-SiC, SiC MOSFETs offer …
به خواندن ادامه دهید
فولاد یا پولاد (به انگلیسی: Steel) آلیاژی از آهن است، که بین ۰٫۰۰۲ تا ۲٫۱ درصد جرم آن کربن است. خواص فولاد به کمک تغییر در درصد کربن، عناصر آلیاژی و عملیات حرارتی قابل کنترل است. استفاده از فولاد ...
به خواندن ادامه دهید
خوب است بدانید که در ساخت سکه‌های یورو، از چهار نوع آلیاژ مختلف استفاده شده است. سکه‌های ۱-۵ سنتی، فولاد به همراه روکشی از این فلز هستند. ... در حدود دو قرن، از رنگ‌های حاوی این فلز برای بدنه ...
به خواندن ادامه دهید
فلزیاب آی سی98 یک دستگاه فلزیاب قدرتمند و حرفه ای می باشد که توسط بهترین و با کیفیت ترین قطعات الکترونیکی تولید شده است. از ویژگی های اصلی این دستگاه فلزیاب می توان به عمق کاوش بالا، قابلیت حذف ...
به خواندن ادامه دهید
SiC MOSFETs have much lower switching loss than IGBTs, which enables higher switching frequency, smaller passives, smaller and less expensive cooling system. Compared to 600V-900V silicon MOSFETs, SiC MOSFETs have smaller chip area (mountable on a compact package) and an ultralow recovery loss .
به خواندن ادامه دهید
همچنین به دلیل خصوصیات فلز مس، آن به یکی از ایمن‌ترین فلزات برای استفاده در سیم‌ها و ابزارآلات انتقال برق تبدیل شده است. از بزرگ‌ترین مصرف‌کنندگان مس در بین صنایع دیگر صنعت برق است.
به خواندن ادامه دهید
CNC (سی ان سی) چیست و چه انواعی دارد؟. برش چوب و فلزات در طرح های بسیار پیچیده و مختلف یکی از دستاورد های جدید بشر است که با حضور دستگاه های CNC (سی ان سی) به راحتی انجام شد. به احتمال زیاد برای شما هم ...
به خواندن ادامه دهید
صرف نظر از روتور استفاده شده قواعد کلی برای دوران یکی است. روتور نیز همانند استاتور از دو قسمت هسته و سیم پیچ تشکیل شده‌است که سیم پیچ‌های اطراف روتور می‌تواند از جنس مس یا آلومینیوم باشد.
به خواندن ادامه دهید
فایبرگلاس یا فیبرشیشه (به انگلیسی: Fiberglass) کامپوزیتی از الیاف شیشه با مواد پلیمری است که از پشم شیشه به عنوان مادهٔ تقویت کننده و از مواد پلیمری به عنوان مواد زمینه استفاده می‌شود.. در ساخت مخازن بکار می‌رود.
به خواندن ادامه دهید
شیمی طرح‌نگاری نوری. یک سلول خورشیدی پراکنده شده از طلا و آلومینیوم که از ویفر سیلیکونی <100> نوع p. فوتولیتوگرافی فرآیندی است در حذف بخش های انتخابی از لایه های نازک مورد استفاده در میکروساخت ...
به خواندن ادامه دهید
Our Silicon Carbide MOSFETs replace silicon devices to enable lower switching and conduction losses with higher blocking voltages and avalanche capability. We established a new benchmark for energy …
به خواندن ادامه دهید
1 C3M0025065D Rev 1 12-2020 C3M0025065D Silicon Carbide Power MOSFET C3M TM MOSFET Technology N-Channel Enhancement Mode Features • 3rd Generation SiC MOSFET technology • High blocking voltage with low on-resistance • High speed switching with low capacitances • Fast intrinsic diode with low reverse recovery (Qrr) • Halogen …
به خواندن ادامه دهید
part. Furthermore, SiC MOSFETs have the benefit of being unipolar devices, and thus enable faster switching than a Si IGBT, and better controllability of switching behavior. …
به خواندن ادامه دهید
16 16 18 20 8.1 mm • Very Small Difference in On-Resistance (RDS,on) at 150 C • Enhanced Short Circuit 10 kV SiC MOSFET has Higher Threshold Voltage Measured I-V …
به خواندن ادامه دهید
چکیدهدر این مقاله از FG-MOSFET که در مجاورت گیت آن واکنش شیمیایی بین گاز و اکسید فلز رخ می دهد بعنوان سنسور گاز استفاده می شود. هرچه غلظت مولکولهای گاز در مجاورت گیت ترانزیستور ماسفت بیشتر باشند، الکترونهای بیشتری در سطح ...
به خواندن ادامه دهید
maximize the benefits of SiC (silicon carbide) modules. Cree's CAS100H12AM1 1.2kV, 100A 50mm half-bridge module and Cree's CCS050M12CM2 1.2kV, 50A six-pack module are used as examples. Introduction: Cree SiC MOSFET modules provide a unique combination of high voltage, high current and high switching speed.
به خواندن ادامه دهید
تاریخچه فلز مس. فلز مس یکی از قدیمی ترین عناصر شناخته شده توسط بشر است و قدمت آن، به حدود 10 هزار سال قبل باز می گردد. در مصر باستان، مس به عنوان فلز فرعون و سایر حاکمان شناخته می شد. آن ها معتقد ...
به خواندن ادامه دهید
• SiC MOSFETs Have Built-In Body Diode That Can Be Exploited In Applications Requiring Antiparallel Conduction • Third Quadrant IV Characteristics are …
به خواندن ادامه دهید
part. Furthermore, SiC MOSFETs have the benefit of being unipolar devices, and thus enable faster switching than a Si IGBT, and better controllability of switching behavior. This makes the SiC MOSFET a very attractive device. Infineon developed a truly ònormally-off ó SiC MOSFET using trench technology with the trade mark name CoolSiC™ MOSFET.
به خواندن ادامه دهید
Aided by these material advances, in 2011 Cree announced the 1st commercial SiC MOSFET, a 1200 V rated device [7]. Since then, additional product generations, as well as 1700V and 900 V rated devices, have been released. Highlighting the good 4H-SiC epitaxial quality, Cree has demonstrated MOSFET devices with up to 15 kV rating as well [8]. In the
به خواندن ادامه دهید
همین امر سبب شده است برای برنامه نویسان زبان جاوا، پیاده‌سازی الگوریتم‌های یادگیری ماشین، استفاده از کتابخانه‌ها، خطایابی برنامه‌ها و نمایش گرافیکی داده‌هاُ ساده‌تر شوند.
به خواندن ادامه دهید
Apr 01, 2020 at 10:00am ET. By: Mark Kane. Cree, one of the market leaders in silicon carbide (SiC) power electronics, introduced new Wolfspeed 650V SiC MOSFETs, which are envisioned for ...
به خواندن ادامه دهید
زمان مطالعه: ۴ دقیقه. «آبکاری» (Electroplating)، فرآیند اندود کردن یک فلز بر روی فلز دیگر به کمک هیدرولیز است. از این فرآیند در لوازم تزئینی یا جلوگیری از خوردگی فلزات استفاده می‌شود. همچنین انواع ...
به خواندن ادامه دهید
16 16 18 20 8.1 mm • Very Small Difference in On-Resistance (RDS,on) at 150 C • Enhanced Short Circuit 10 kV SiC MOSFET has Higher Threshold Voltage Measured I-V Characteristics at 150 C of Enhanced Short Circuit Capability and Baseline Gen3 10 kV/350 mOhm SiC MOSFETs 16 18 20 Enhanced Short Circuit Gen3
به خواندن ادامه دهید
mosfet,,sic mosfet。 （115 nH）, …
به خواندن ادامه دهید
Apr 01, 2020 at 10:00am ET By: Mark Kane Cree, one of the market leaders in silicon carbide (SiC) power electronics, introduced new …
به خواندن ادامه دهید
MOSFET delivers the least amount of power at 2 kW. However, the peak efficiency observed is only about 0.25% lower than the SiC MOSFET. Unfortunately, due to high conduction losses, the efficiency drops rapidly as current is increased. Comparison at 100 kHz The tests at 100 kHz compared only the SiC MOSFET and the Si MOSFET. The
به خواندن ادامه دهید