- +8618437960706
- دوشنبه تا شنبه: 10:00 - 16:00 / یکشنبه تعطیل است
علت سوختن ترانزیستورهای قدرت سوئیچ در منبع تغذیه سوئیچینگ. قلب منبع تغذیه سوئیچینگ را ترانزیستورهای سوئیچ تشکیل می دهند. ترانزیستورهای پاور معمولا از نوع ماسفت n کانال می باشند.
به خواندن ادامه دهید
بخشی از مقاله. ترانزیستور. ترانزیستورهای جدید به دو دسته کلی تقسیم می شوند: ترانزیستورهای اتصال دوقطبی (BJTs) و ترانزیستورهای اثر میدانی (FETs). اعمال جریان در BJTها و ولتاژ در FETها بیین ورودی ...
به خواندن ادامه دهید
نام پایه های ترانزیستور را می‌توان با استفاده از همین شکل ظاهری تشخیص داد. نام پایه های ترانزیستور را می‌توان با نگاه کردن به جهتی که پیکان به سمت آن نشان می‌دهد، به راحتی تشخیص داد.
به خواندن ادامه دهید
ترانزیستور پیوندی اثر میدان یا جِی‌فِت (به انگلیسی: junction gate field-effect transistor یا JUGFET یا JFET) به گونه‌ای از ترانزیستورهای اثر میدان گفته می‌شود که از یک کانال عبور و یک گیت تشکیل شده‌اند. دو پایهٔ درین (Drain) و سورس (Source) با ...
به خواندن ادامه دهید
در گروه ترانزیستورهای اثر میدانی، کنترل جریان براساس الکترون های آزاد یا حفره حاصل از میدان الکتریکی صورت می گیرد. در این گروه ترانزیستورها خود به دو دسته ی ماسفت و جی فت تقسیم می شوند.
به خواندن ادامه دهید
۳- ترانزیستور اثر میدانی (mosfet) این ترانزیستور نیز مانند jfet عمل می‌کنند با این تفاوت که جریان ورودی گیت آنها صفر است.همچنین رابطه جریان با ولتاژ نیز متفاوت است.
به خواندن ادامه دهید
A general review of the critical processing steps for manufacturing SiC MOSFETs, types of SiC MOSFETs, and power applications based on SiC power devices are covered in this paper. Additionally ...
به خواندن ادامه دهید
با استفاده از mosfet (ترانزیستورهای اثر میدانی اکسید فلز - نیمه هادی) ، پایه ای برای بیشتر دروازه های منطقی مدرن. خانواده منطق MOS شامل منطق PMOS ، منطق NMOS ، MOS مکمل (CMOS) و BiCMOS (CMOS دو قطبی) است.
به خواندن ادامه دهید
ترانزیستور[۱] مهم‌ترین قطعهٔ مداری در الکترونیک است و برای تقویت یا قطع‌ووصل سیگنال به کار می‌رود. ترانزیستور یکی از ادوات حالت جامد است که از مواد نیمه‌رسانایی مانند سیلیسیم و ژرمانیم ساخته می‌شود.
به خواندن ادامه دهید
Jinshui District Overview. Jinshui District (Chinese: ; pinyin: Jīnshuǐ Qū) is one of 6 urban districts of the prefecture-level city of Zhengzhou, the capital of Henan Province, …
به خواندن ادامه دهید
نوع متداول‌تر ماسفت، یعنی ماسفت افزایشی یا eMOSFET برعکس ماسفت کاهشی است. در این نوع ماسفت، کانال هدایت به اندازه کمی آلاییده شده یا اینکه ناخالصی ندارد و این امر سبب می‌شود کانال نارسانا باشد. در نتیجه، وقتی ولتاژ بایاس گیت VGSVGSصفر باشد، این نوع ترانزیستور «در حالت عادی OFF» است. در یک ماسفت …
به خواندن ادامه دهید
در ترانزیستورهای پیوند اثر میدانی (JFET)، با اعمال ولتاژ به پایه گِیت، میزان جریان میان دوپایه سورس و دِرِین کنترل می‌شود. ترانزیستور اثر میدانی به دو نوع تقسیم می‌شود: نوع n یا N-Type و نوع p یا P-Type.
به خواندن ادامه دهید
ترانزیستورهای دوقطبی (ترانزیستورهای پیوند دوقطبی بی جی تی BJT) : این قطعه نوعی ترانزیستور است که از الکترون ها و حفره ها به عنوان حامل بار استفاده می کند. دو نوع ترانزیستور دوقطبی تولید می شود ...
به خواندن ادامه دهید
انتخاب ترانزیستورهای جلوه ای از میدان می تواند به طور مستقیم بر نرخ و هزینه تولید یک آمپول کامل یکپارچه تأثیر بگذارد. انتخاب ترانزیستور اثر میدانی را می توان از شش روش زیر شروع کرد. 1 ، نوع کانال
به خواندن ادامه دهید
ترانزیستورهای اثر میدان به ترانزیستورهای اثر میدان اتصال (jfet) و ترانزیستورهای اثر میدان دروازه عایق بندی شده (ig-fet) یا ترانزیستورهای اثر میدان نیمه هادی اکسید فلز (mosfet) طبقه بندی می شوند.
به خواندن ادامه دهید
معایب ترانزیستور. انواع ترانزیستور. ترانزیستور اتصال دو قطبی (BJT) ترانزیستور اثر میدان (FET) ترانزیستور اثر میدان پیوندی (JFET) ترانزیستور اثر میدانی اکسید فلز (MOSFET) مغز ما که برای فکر کردن و به ...
به خواندن ادامه دهید
مزایای استفاده از ترانزیستور اثر میدان (JFET) • ترانزیستور JFET مقاومت ظاهری بسیار بالایی دارد. • ترانزیستور JFET از جمله دستگاه‌های الکترونیکی با مصرف بسیار پایین است. • انواع مختلف ترانزیستور ...
به خواندن ادامه دهید
ترانزیستورهای اثر میدانی به ترانزیستورهای اثر میدان اتصالی (jfet) و ترانزیستورهای اثر میدانی گیت عایق (ig-fet) یا ترانزیستورهای اثر میدانی نیمه هادی اکسید فلزی (mosfet) طبقه بندی می شوند.
به خواندن ادامه دهید
کانال بین سورس و درین، کانال p نامیده می شود. نمادهای jfet های کانال p در زیر آورده شده است. در اینجا، علامت های فلش جهت جریان را نشان می دهد. ترانزیستور اثر میدان اکسید فلز (mosfet)
به خواندن ادامه دهید
نکته: چون JFET ها از یک ولتاژ برای اعمال به ترمینال (Gate) استفاده می‌کنند و جریان گذرنده از کانال متناسب با این ولتاژ ، کم و زیاد می شود و همچنین عملکرد FET مبتنی بر یک میدان الکتریکی حاصل از ولتاژ Gate است به آن ترانزیستور اثر ...
به خواندن ادامه دهید
اصل کار ماسفت. اصلی ترین کار ماسفت این است که بتواند جریان ولتاژ و جریان بین پایانه‌های منبع و تخلیه را کنترل کند. تقریباً مانند یک سوئیچ کار میکند و عملکرد دستگاه بر اساس خازن MOS است. خازن MOS ...
به خواندن ادامه دهید
ترانزیستور ماسفت دارای یک اثر میدانی نیمه رسانا است و به طوری کلی ترانزیستور ها در دو نوع اتصال قطبی و اثر میدانی وجود دارند. شکل ظاهری ترانزیستور ماسفت به این شکل است که دارای یک بدنه و سه ...
به خواندن ادامه دهید
ترانزیستور اثر میدانی نیمه‌رسانای اکسید فلز یا ماسفت (MOSFET)، مقاومت گیت ورودی بسیار بزرگی دارد و جریان گذرنده از کانال بین سورس و درین با ولتاژ گیت کنترل می‌شود. به دلیل امپدانس ورودی و بهره ...
به خواندن ادامه دهید
نوع دیگر ترانزیستورهای اثر میدانی MOSFET ها هستند ( ترانزیستور اثر میدانی اکسید فلزی نیمه هادی - Metal-Oxide Semiconductor Field Effect Transistor ) یکی از اساسی ترین مزیت های ماسفت ها نویز کمتر آنها در مدار است ...
به خواندن ادامه دهید
با تغییر دمای واکنش و میزان کاتالیزگرها می توان قطر نانو لوله تولید شده را کنترل کرد. تمامی ترانزیستورهای روی یک ویفر بطور همزمان خاموش و روشن می شوند چون دارای گیت یکسان هستند.
به خواندن ادامه دهید
بازدید: ۱۶۴۵. ترانزیستورهای اثر میدان پیوندی که به اختصار JFET (Junction Field Effect Transistor) نامیده می‌شوند، یک المان نیمه‌رسانای تک قطبی است که دارای سه پایه بوده و با ولتاژ کنترل می‌شود. این نوع ...
به خواندن ادامه دهید
ترانزیستورهای اثر میدانی به ترانزیستورهای اثر میدان اتصالی (jfet) و ترانزیستورهای اثر میدانی گیت عایق (ig-fet) یا ترانزیستورهای اثر میدانی نیمه هادی اکسید فلزی (mosfet) طبقه بندی می شوند.
به خواندن ادامه دهید
استفاده کرد.از این قطعات برای طراحی مدار الکترونیکی نیز استفاده می شود. انواع ترانزیستور ها. ترانزیستورهای پیوند اثر میدانی ( jfet ) ترانزیستورهای اثر میدانی( mosfet) ترانزیستورهای اثر میدانی (fet )
به خواندن ادامه دهید
به تکنولوژی‌هایی که از دو نوع ترانزیستورهای دوقطبی و Mosfet در آن واحد استفاده می‌کنند Bicmos می‌گویند. البته نقطه کار این ترانزیستورها نسبت به دما حساس است و تغییر میکند.
به خواندن ادامه دهید
ترانزیستورهای MOS ، بسته به کانالی که در آنها شکل می‌گیرد، NMOS یا PMOS نامیده می‌شوند. در آغاز کار، PMOS ترانزیستور پرکاربردتر در فناوری MOS بود. ... اثر محدود بودن مقاومت خروجیدیدیم که در حالت ...
به خواندن ادامه دهید
In addition, the 6-inch SiC wafer line can process thin SiC wafers for lower on-resistance, and so thin SiC wafers started to be used for the second-generation planar MOSFET. Fig. 1 On-state characteristics of second-generation planar MOSFET Drain current (A) Drain voltage (V) 1st generation 2nd generation Fig. 2 Switching losses of second ...
به خواندن ادامه دهید
mosfet در حال حاضر در مدارهای دیجیتال و آنالوگ متداول تر از bjts (ترانزیستورهای اتصال دو قطبی) می باشند .mosfet تقریباً معمول ترین ترانزیستور در مدارهای دیجیتالی تعبیه می شوند ، زیرا صدها هزار یا ...
به خواندن ادامه دهید
ترانزیستورهای اثر میدان هیبریدی (Hybrid Field-Effect Transistors): این نوع ترانزیستورها ترکیبی از ترانزیستورهای میدانی (FET) و ترانزیستورهای بیپلر (BJT) هستند. آنها به عنوان گزینه‌هایی برای کاربردهایی که ...
به خواندن ادامه دهید
As an alternative to traditional silicon MOSFETs, silicon carbide MOSFETs offer the advantages of higher blocking voltage, lower on-state resistance, and higher thermal conductivity...
به خواندن ادامه دهید
2- درایورهای ترانزیستوری نوع mosfet : ترانزیستورهای اثر میدان یا همان fet نیز برای سوئیچینگ و تقویت جریان استفاده می شوند. دربخش قبل دیدیم، در ترانزیستورهای دوقطبی برای کنترل جریان خروجی ( جریان ...
به خواندن ادامه دهید